JOPSS:検索結果一覧

論文

Site-specific fragmentation of acetone adsorbates on Si(100) in the carbon 1s absorption edge

関口哲弘; 関口広美*; 馬場祐治

Surface Science, 454-456, p.363 - 368, 2000/05

https://doi.org/10.1016/S0039-6028(00)00284-3

被引用回数：23 パーセンタイル：72.46(Chemistry, Physical)

シリコン(Si)半導体上における簡単な炭化水素分子の表面科学反応はSiC薄膜生成などの応用面からの要請も相俟って活発に進められている。本研究においては室温及び低温(93K)のSi基板上にアセトン((CH $_{3}$ ) $_{2}$ CO)を吸着させた系について放射光からの軟X線を励起光源として起こる解離反応を調べた。アセトンは放射光の励起エネルギーを変えることにより、分子中の(-CH3とC=Oの)二種類の炭素原子を選択して内殻励起することができると考えられている。放射光照射により生じるイオン脱離生成物を四重極質量分析により検出した。単分子~約50分子吸着層についてフラグメント収量の励起光エネルギー依存性を測定した。実験結果としてはメチル基(CH $_{3}$ )の炭素が内殻励起された場合のみ、CH $_{n}^{+}$ (n=0-3)イオンが顕著に生成することがわかった。この結果はこの共鳴励起でC-C結合が特に顕著に切断されていることを示唆している。

論文

Epitaxial growth of rutile films on Si(100) substrates by thermal oxidation of evaporated titanium films in argon flux

Dai, Z.*; 楢本洋; 鳴海一雅; 山本春也

Journal of Physics; Condensed Matter, 11(43), p.8511 - 8516, 1999/11

https://doi.org/10.1088/0953-8984/11/43/314

被引用回数：11 パーセンタイル：54.6(Physics, Condensed Matter)

真空蒸着法により、Si(100)基板上にTi金属薄膜を形成後、Arガスで置換したO $_{2}$ 希薄ガス雰囲気で熱処理を行い、Si(100)上にTiO $_{2}$ ルチル結晶がエピタキシャルに成長する条件を調べた。X線回折法及びイオンチャネリング法等で結晶学的解析を行った結果、TiO $_{2}$ とSi基板とは、TiO $_{2}$ (100)//Si(100), TiO $_{2}$ (110)//Si(110)の関係にあることを見いだした。

論文

Extremely high selectivity in fragmentation of (CH $_{3}$ S) $_{2}$ on Si(100) following excitation of adsorbate or substrate core level

関口哲弘; 馬場祐治; Li, Y.; Ali, M.

Photon Factory Activity Report 1998, Part B, P. 67, 1999/11

http://ccdb5fs.kek.jp/cgi-bin/img/tiff2gif?199923003+00097

放射光のX線エネルギーを変化させることにより特定の元素の内殻電子準位を選択的に励起することができる。これは、例えば、ディジタル・エッチング(薄膜吸着→光照射(反応)薄膜吸着→…を単分子レベルで進行させようというアイデア)に応用できる可能性がある。本研究では表面励起とバルク励起の選択性を見積もるため、シリコン(Si)基板上にイオウ(s)化合物((CH $_{3}$ S) $_{2}$ )を吸着させた系に対し、基板(Si 1s)励起と吸着種(S 1s)の内殻励起により引き出される解離反応を調べた。放射光照射により生じるイオン脱離生成物を四重極質量分析により検出した。結果としてはイオウ原子イオンがあるイオウ内殻共鳴励起で生じ、基板Si励起では検出限界以下という大きな選択性が観測された。励起される吸着分子の数は歴される基板原子数に比べ数桁も小さいにもかかわらず、生成収量は大きいという非常に高い選択性が示された。

論文

Site-specific fragmentation of acetone adsorbates on Si(100) by selective excitation of inequivalent carbons

関口哲弘; 関口広美*; 馬場祐治

Photon Factory Activity Report 1998, Part B, P. 68, 1999/11

http://ccdb5fs.kek.jp/cgi-bin/img/tiff2gif?199923003+00098

シリコン(Si)半導体上における簡単な炭化水素分子の表面化学反応はSiCやダイヤモンド薄膜の生成などの応用面に関連するため広く研究されている。本研究においては室温及び低温(93K)のSi基板上にアセトン((CH $_{3}$ ) $_{2}$ CO)を吸着させた系について放射光からの軟X線を励起光源として起こる解離反応を調べた。アセトンは放射光の励起エネルギーを変えることにより、分子中の(-CH $_{3}$ とC=O)の二種類の炭素原子を選択して内殻励起することができると考えられている。放射光照射により生じるイオン脱離生成物を四重極質量分析により検出した。単分子約50分子吸着層についてフラグメント収量の励起光エネルギー依存性を測定した。実験結果としてはメチル基(-CH $_{3}$ )の炭素が内殻励起された場合のみ、CH $_{n}^{+}$ (n=0-3)イオンが顕著に生成することがわかった。この結果はこの共鳴励起でC-C結合が特に顕著に切断されていることを示唆している。

論文

Site-specific fragmentation of acetone adsorbates by selective excitation of inequivalent carbons

関口哲弘; 関口広美*; 馬場祐治

Atomic Collision Research in Japan, (25), p.82 - 83, 1999/00

シリコン(Si)半導体上における簡単な有機分子の表面化学反応はSiC薄膜生成などの応用面からの興味も相俟って、活発に行われている。本研究においては室温及び低温(93K)のSi基板上にアセトン((CH $_{3}$ ) $_{2}$ CO)を吸着させた系について放射光の軟X線を励起光源として起こる解離反応を調べた。アセトンは励起エネルギーを変えることにより、分子中の(-CH3とC=0)の二種類の炭素原子を選択して内殻励起することができる。放射光照射により生じる脱離フラグメントイオンは四重極質量分析により直接検出した。単分子~約50分子吸着層についフラグメント収量の励起光エネルギー依存性を測定した。その結果、メチル基(CH $_{3}$ )の炭素が内殻励起された場合のみ、CH $_{n}^{+}$ (n=0-3)イオンが顕著に生成することが見いだされた。これはこの共鳴励起でC-C結合が特に顕著に切断されていることを示唆している。

論文

The Orientation of chemisorbed formate using -edge photoabsorption spectroscopy

関口広美*; 関口哲弘

Atomic Collision Research in Japan, No.24, p.116 - 117, 1998/11

SiCやSiO $_{2}$ の薄膜合成に関連して、Si上の簡単な有機物分子の吸着構造や相互作用を調べる研究が数多く行われている。本研究は放射光の直線偏光を利用し、Si(100)2x1基板上の単分子吸着ギ酸の構造(結合角)を光吸収スペクトル(即ち、X線吸収端微細構造(NEXAFS))の偏光依存性を測定することにより調べた。NEXAFSに観測された4本の共鳴ピークは吸着ホルメート基(HCOO)の分子面外遷移( $^{ast}$ )と3本の分子面内遷移( $^{ast}$ )とに帰属された。双極子遷移の選択則からHCOO分子面は表面垂直(100方向)に対し212°傾いていると結論された。電子線回折実験による気相HCOOSiH $_{3}$ 分子の構造及び電子状態に関する情報を用い、吸着種のHCOO面の傾き角の起源を考察した。

論文

Polarization dependence of carbon K-edge NEXAFS spectra of formate on Si(100)

関口広美*; 関口哲弘

Photon Factory Activity Report 1998, Part B, P. 220, 1998/11

http://ccdb5fs.kek.jp/cgi-bin/img/tiff2gif?199823003+00238

基礎研究及び応用研究、両面からの興味からSi表面と簡単な分子の相互作用は非常に多く研究されている。本研究は放射光の直線偏光特性を利用し、Si(100)2x1基板上の単分子吸着ギ酸(HCOO)のHCOO分子平面の配向角度をX線吸収端微細構造(NEXAFS)の偏光依存性測定により調べた。NEXAFSスペクトルの各ピーク強度は顕著な偏光角依存性を示した。観測された4本の共鳴ピークはHCOOの分子面外遷移( $^{ast}$ )と3本の分子面内遷移( $^{ast}$ )とに帰属された。双極子遷移の選択則からHCOO平面は表面垂直(100)方向に対し212°傾いていると結論された。電子線回折実験によると気相HCOOSiH $_{3}$ 分子のO=C-O-Siの二面体角は21°であり、吸着種のCHO面の傾き角とよく一致している。ギ酸メチル(HCOOCH $_{3}$ )では相当するねじれ構造はなく、この違いはSi-O結合にイオン性寄与があることに起因する。

論文

Formation of ultra-thin SiO $_{2}$ layer on Si(100) by thermal decomposition of silicon alkoxide

馬場祐治; 山本博之; 佐々木貞吉

Photon Factory Activity Report, (14), P. 423, 1996/00

Si(100)単結晶表面にSiO $_{2}$ の超薄膜を生成させる新しい方法を提案するとともに、SiO $_{2}$ 層の化学結合状態と膜厚を放射光光電子分光法により測定した。方法は以下の通りである。(1)Si(100)を真空中で80Kに冷却する。(2)テトラメトキシシランを300層吸着させる。(3)Si(100)基板を0.5 $^{circ}$ C/secの速度で400Kまで加熱する。この方法で得られた酸化層の化学状態はSiO $_{2}$ であること、SiO $_{2}$ 層の膜厚は0.3nmであることを明らかにした。

論文

Application of high-energy X-ray photoelectron spectroscopy using synchrotron-radiation to the depth profile analysis of ion implanted layer on Si(100) surface

山本博之; 馬場祐治; 佐々木貞吉

Photon Factory Activity Report, (13), P. 352, 1995/00

高エネルギー物理学研究所放射光施設(KEK-PF)が発行する年度報告書(PF Activity Report)用の原稿である。ここでは、X線光電子分光法(XPS)における分析深さが光電子の運動エネルギーに依存することを利用し、O $_{2+}$ イオン注入したSi(100)の深さプロファイルを求めた結果について述べた。

口頭

放射光XPSによるSi(100)21へのCH $_{3}$ Cl吸着反応の研究

塚田千恵; 吉田光; 岡田美智雄*; 吉越章隆; 矢板毅

no journal, ,

SiやAlの酸化物で構成される粘土鉱物から放射性Csをハロゲン化物として脱離する方法を検討しているが、その脱離反応のメカニズムは不明である。我々は粘土鉱物とハロゲン系ガスの反応モデルとしてSi基板とCH $^{3}$ Clを選び、並進運動エネルギーを変化させたCH $^{3}$ Cl分子線照射によるCs/Si基板での反応解明を目的としている。本研究では第一段階として、CH3ClのSi(100)21に対する反応を放射光XPSで調べたが、CH $^{3}$ やClでSiダイマー原子に吸着したと考えられる。

発表形式

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発表会議名

筆頭著者名

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発行年

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Site-specific fragmentation of acetone adsorbates on Si(100) in the carbon 1s absorption edge

Epitaxial growth of rutile films on Si(100) substrates by thermal oxidation of evaporated titanium films in argon flux

Extremely high selectivity in fragmentation of (CH $_{3}$ S) $_{2}$ on Si(100) following excitation of adsorbate or substrate core level

Site-specific fragmentation of acetone adsorbates on Si(100) by selective excitation of inequivalent carbons

Site-specific fragmentation of acetone adsorbates by selective excitation of inequivalent carbons

The Orientation of chemisorbed formate using -edge photoabsorption spectroscopy

Polarization dependence of carbon K-edge NEXAFS spectra of formate on Si(100)

Formation of ultra-thin SiO $_{2}$ layer on Si(100) by thermal decomposition of silicon alkoxide

Application of high-energy X-ray photoelectron spectroscopy using synchrotron-radiation to the depth profile analysis of ion implanted layer on Si(100) surface

放射光XPSによるSi(100)21へのCH $_{3}$ Cl吸着反応の研究